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碳化硅是什么
碳化硅是什么
2021-07-17T23:07:19+00:00
四个问题带你对半导体碳化硅(SIC)有基本了解; 知乎
2023年12月3日 碳化硅的晶体结构 由于禁带能隙决定了材料可以承受的电场及其能正常运行的速度，碳化硅更宽的禁带能隙使得能够开发出比传统硅在更高频率和更高电压下运行 2023年4月10日 特别是碳化硅基氮化镓，因此氮化镓衬底实在太贵了，而且碳化硅和氮化镓有非常优异的晶格匹配度超过95%，因此碳化硅上能长出高质量的氮化镓外延层，因此氮化镓外延片把碳化硅当做最好的衬底。碳化硅介绍 知乎
碳化硅百度百科
EINECS登錄號 2069918 水溶性 不溶 密 度 321 g/cm³ 外 觀 黃色至綠色，至藍色至黑色晶體，取決於其純度。 應 用 用於磨料、耐磨劑、磨具、高級耐火材料，精細陶瓷 安全性 2023年6月22日 什么是碳化硅 (SiC)？ 用途和制作方法 Arrow 很抱歉，无法显示 若依然无法开启，请联系我们 什么是碳化硅 (SiC)？ 用途和制作方法 2023年6月22 什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
什么是碳化硅碳化硅性能及应用简介 Silicon Carbide
2020年3月31日 硬质合金模具 中钨在线是高品质、合理价格硬质合金拉伸模具的专业制造商。 硬质合金是一类由于其卓越的强度、韧性和耐磨性而被广泛应用于拉伸模的材料。 碳 2023年12月13日 674 关注问题 写回答 邀请回答 好问题 添加评论 分享 4 个回答 默认排序 苏文强 电子设备制造业 课长 关注 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节 碳化硅是什么？ 知乎
碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。 如今，意法半 2019年9月4日 历史上人类次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。 在经历了百年的探索之后，特别是进入21世纪以后，人类终于理清了碳化 小科普大家都在关注的碳化硅（SiC）是什么？ 知乎
碳化硅百度百科
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅是一種半導體，在自然界中以極其罕見的礦物莫桑石的形式存在。自1893年以來已經被大規模生產為粉末和晶體，用作磨料 2019年8月15日 SiC是第三代半导体材料中应用最为成熟的材料之一。第三代半导体即宽禁带半导体，主要包含包含碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化锌、金刚石等（代半导体主要是Si、Ge等单质半导体材料；第二代半导体主要是指GaAs、InP等化合物半导体材料）。碳和硅都这么优秀了，这个碳化硅（SiC）又是怎么肥四？ 知乎
碳化硅介绍 知乎
2023年4月10日 一、什么是碳化硅（SiC ）？碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经 2023年8月19日 为什么碳化硅SiC要先制作衬底，再在衬底上外延SiC 制成外延片，而不是像纯硅晶圆一样直 首页 知乎知学堂 发现 等你来答 呈现相关关系，因为钻石最硬，因此钻石最贵。立方氮化硼次之，立方氮化硼合成第二贵，碳化硅是 为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
2019年10月9日 什么是碳化硅？ 碳化硅（SiC）又名金刚砂，乍一听想必它与金刚石有点渊源，事实还真是如此。1891年美国人艾奇逊在进行电熔实验时偶然发现了这种碳化物，误以为是金刚石的混合体，便赐它“金刚砂”一名。2020年12月7日 碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以βSiC形式存在；反映温度高于1600℃时，βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成αSiC。 该冶炼制得的SiC若不含有杂质，呈现无色透明晶体状 碳化硅简介 知乎
碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 知乎
2023年8月23日 一、碳化硅简介与特性 碳化硅（SiC）是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领域。2023年6月22日 碳化硅晶片生产的这两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。 碳化硅的用途是什么？SiC 的优点 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括：什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 碳化硅功率模块是碳化硅金氧半场效晶体管和碳化硅二极管的组合， 通常将驱动芯片放置在功率模块以外的驱动板上。 为了充分发挥碳化硅金氧半场效晶体管的最优性能， 碳化硅金氧半场效晶体管的驱动芯片也可集成到功率模块内部， 形成智能功率模块[4]。2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
碳化硅晶体百度百科
早在1824年，瑞典科学家Berzelius (1779一1848)在人工合成金刚石的过程中就观察到了 SiC 的存在，但是因为天然的SiC单晶极少，当时人们对SiC的性质几乎没有什么了解。 中文名 碳化硅晶体 外文名 silicon carbide 2023年4月13日 从巅峰到谷底，马斯克自然要承担责任。但问题是，碳化硅为什么在短时间内，从宠儿变成了弃儿？特斯拉：造神者灭神 Wolfspeed与碳化硅概念股最近一次的暴跌，是因为马斯克在3月初的特斯拉投资者日 造神者推倒神像：碳化硅的崛起和塌房澎湃号湃客澎
半导体碳化硅（SIC）凭什么被称为第三代半导体最重要材料？
2023年12月5日 二、碳化硅器件的优势特性 碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展 SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。 意法半导体积极进行产能 碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
四个问题带你对半导体碳化硅(SIC)有基本了解; 知乎
2023年12月3日 不过今天，我们不聊氮化镓，今天的纳微小课堂我们用四个问题向大家展示另一位第三代半导体的强力选手——碳化硅。 问：什么是碳化硅（SiC）？答：碳化硅（SiC）由硅（原子序数14）和碳（原子序数6），形成类似于金刚石的强共价键，是一种坚固的六方结构化合物，具有宽禁带半导体特性。2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？ 知乎
2023年9月12日 碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的 半导体基材。您可以用氮或磷掺杂 SiC 以形成 n 型半导体，或用铍、硼、铝或镓掺杂以形成 p 型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度多种多样，但半导体级品质的碳化硅直到最2022年10月15日 为什么碳化硅 能承受这么高的电压？功率器件，尤其是 MOSFET，必须能够处理极高的电压。由于电场的介电击穿强度比硅高约十倍，SiC 可以达到非常高的击穿电压，从 600V 到几千伏。SiC 可以使用比硅更高的掺杂浓度，并且漂移层可以做得非常薄 关于碳化硅，不可不知的10件事！ 知乎
电子元器件基础知识——何为碳化硅SiC？ 知乎
2019年10月24日 在这里，分以下二个方面进行阐述：一是以传统的硅半导体为基础的“硅（Si）功率元器件”，另一是与Si半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。 SiC半导体已经开始实际应用，并且 2023年5月14日 都有什么优势呢？ Alpha SiC 和 Beta SiC有如下区别： 1在合成这个环节中，Beta SiC的合成温度约1500—1600℃，而Alpha 碳化硅的冶炼温度需要超过2400℃。 由于Beta sic冶炼温度要比Alpha sic低 beta碳化硅（立方碳化硅）与alpha SiC有什么区别？
揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅
2021年7月3日 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 2020年12月2日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。 我国SiC外延材料研发工作开发于“ 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅是 卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，尤其是在航天、国防等领域有着不可替代的作用。 据中金企信国际咨询发布，目前我国在5G通信、电动汽车等新兴产业的技术水平、产业化规模等方面都 2023年1月1日 碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。碳化硅 知乎
功率半导体碳化硅（SiC）技术 知乎
2020年6月27日 功率半导体碳化硅（SiC）技术 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率，同时降低其尺寸、重量和成本。 但碳化硅溶液并不是硅的替代品，它们也并非都是一样的。 为了实现碳化硅技术的承诺，开发人员必须 2021年11月10日 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可替代的地位。 碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料 碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
800V电压平台和碳化硅 知乎
2023年9月2日 浅聊下最近热门的800V电压平台和碳化硅到底是啥。 众所周知，给电池充电要高功率，而影响功率的就是电流和电压。 所以，要快充电，就得提高充电的电压，或者提高充电的电流。 早在2021年10月19日，中国汽车工程学2021年9月27日 碳化硅（Silicon carbide），化学式为SiC，分子量401。化学式虽然简单，但是其应用广泛，这是由碳化硅的结构决定的。 结构={组元，组元间的关系}碳化硅是一种组成简单的物质，组元就是碳原子和硅原子。碳化硅晶体3C/4H/6H碳化硅单晶的多型 知乎
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 第三代半导体，以碳化硅为代表，其具有禁带宽度大，击穿电场高， 饱和电子 漂移速度高，导热率大等特点，特别是在1200V的高压环境中，有着明显的优势。 SIC晶体具有与GaN材料高匹配的 晶格常数 和热膨胀系数以及优良的热导率，是 GaN基 的理想衬底材料，如 2021年8月16日 国内半导体厂商大力布局第三代半导体行业，意义非凡。 是中国大陆半导体（尤其是功率和射频器件）追赶的极佳突破口，碳化硅有望引领中国半导体进入黄金时代。 发布于 02:40 来说说第 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率
2022年9月6日 碳化硅作为第三代半导体材料，优势突出，拥有良好的发展前景，在新能源汽车领域将会是主要的驱动力。在未来，碳化硅 单晶衬底材料大尺寸化获将成为主要的发挥趋势。原文标题：2022年中国碳化硅行 2 天之前 Silicon Carbide (SiC) 出色的可靠性、多样性和系统优势。 来自英飞凌的碳化硅技术！ 凭借我们满足最高质量标准的丰富的产品组合，可以保证实现较长系统使用寿命并带来高可靠性。 英飞凌拥有完整的供应链， 碳化硅SiC器件英飞凌(Infineon)官网 Infineon
碳化硅MOSFET百度百科
20 世纪90 年代以来，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技术的迅速发展，引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注[24]。与Si 材料相比，碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC 器件的高击穿场强和高工作温度[56]。2023年8月21日 一、什么是SiC半导体？ 1 SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n一文看懂Sic功率器件 知乎
碳化硅衬底篇 知乎
2021年7月19日 p型导电碳化硅也不容易制备，特别是低阻的p 型碳化硅更不容易制备。下游市场需求强劲，碳化硅衬底市场迎来黄金成长期 导电型碳化硅衬底方面，受益于新能源汽车逆变器的巨大需求，将保持高速增长态势，根据中国宽禁带功率半导体及应用 碳化硅(SiC) [1] 是共价键很强的化合物，其SiC键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400摄氏度时强度将显著降低，而碳化硅在 碳化硅陶瓷百度百科
浮思特｜什么是SiC MOSFET？ 知乎
2023年9月15日 以下是SiC MOSFET的一些关键优势： 1 高压击穿 ：碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍，因此可以制造更小、电压更高的SiC MOSFET。 这使得在使用更薄的漂移层的同时实现高击穿电压成为可能。 2 电流密度 ：SiC MOSFET提供比硅MOSFET高得多的电流密度，这对于高功率 2022年4月28日 于是，为什么率先使用碳化硅的是Tesla和比亚迪，他们自身成熟的电驱、电池供应链体系不能不说是非常重要的因素。 还有一点，碳化硅耐高压的特性决定其在800V系统上有天然优势，性价比更高，目前市场上充电桩及高压组件仍以400V电压为主，倒是许多欧洲追求高压快充的跑车品牌试图率先使用 多个维度来分析碳化硅SIC跟IGBT应用上的区别！ 知乎
什么是碳化硅碳化硅性能及应用简介 Silicon Carbide
2020年3月31日 什么是碳化硅？碳化硅，又名碳化硅晶须，也称金刚砂、耐火砂、碳硅石。碳化硅的分子式是SiC。 碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。莫桑石（carborundum）是大自然中仅在一些陨石坑发现的罕见的碳化硅矿物。2019年9月4日 历史上人类次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。 在经历了百年的探索之后，特别是进入21世纪以后，人类终于理清了碳化 小科普大家都在关注的碳化硅（SiC）是什么？ 知乎
碳化硅百度百科
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅是一種半導體，在自然界中以極其罕見的礦物莫桑石的形式存在。自1893年以來已經被大規模生產為粉末和晶體，用作磨料 2019年8月15日 SiC是第三代半导体材料中应用最为成熟的材料之一。第三代半导体即宽禁带半导体，主要包含包含碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化锌、金刚石等（代半导体主要是Si、Ge等单质半导体材料；第二代半导体主要是指GaAs、InP等化合物半导体材料）。碳和硅都这么优秀了，这个碳化硅（SiC）又是怎么肥四？ 知乎
碳化硅介绍 知乎
2023年4月10日 一、什么是碳化硅（SiC ）？碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经 2023年8月19日 为什么碳化硅SiC要先制作衬底，再在衬底上外延SiC 制成外延片，而不是像纯硅晶圆一样直 首页 知乎知学堂 发现 等你来答 呈现相关关系，因为钻石最硬，因此钻石最贵。立方氮化硼次之，立方氮化硼合成第二贵，碳化硅是 为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
2019年10月9日 什么是碳化硅？ 碳化硅（SiC）又名金刚砂，乍一听想必它与金刚石有点渊源，事实还真是如此。1891年美国人艾奇逊在进行电熔实验时偶然发现了这种碳化物，误以为是金刚石的混合体，便赐它“金刚砂”一名。2020年12月7日 碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以βSiC形式存在；反映温度高于1600℃时，βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成αSiC。 该冶炼制得的SiC若不含有杂质，呈现无色透明晶体状 碳化硅简介 知乎
碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 知乎
2023年8月23日 一、碳化硅简介与特性 碳化硅（SiC）是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领域。2023年6月22日 碳化硅晶片生产的这两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。 碳化硅的用途是什么？SiC 的优点 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括：什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 碳化硅功率模块是碳化硅金氧半场效晶体管和碳化硅二极管的组合， 通常将驱动芯片放置在功率模块以外的驱动板上。 为了充分发挥碳化硅金氧半场效晶体管的最优性能， 碳化硅金氧半场效晶体管的驱动芯片也可集成到功率模块内部， 形成智能功率模块[4]。